웨이퍼당 비트 집적도 대폭 향상, 업계 최고 수준 비트 밀도 확보
(씨넷코리아=윤현종 기자) 삼성전자가 세계 최고 용량의 '1Tb(테라비트) 8세대 V낸드' 양산에 들어갔다.
삼성전자 '1Tb TLC(Triple Level Cell) 8세대 V낸드'는 업계 최고 수준의 비트 밀도(Bit Density)의 고용량제품으로, 웨이퍼당 비트 집적도가 이전 세대 보다 대폭 향상됐다.
8세대 V낸드는 최신 낸드플래시 인터페이스 'Toggle DDR 5.0'이 적용돼 최대 2.4Gbps의 데이터 입출력 속도를 지원한다. 7세대 V낸드 대비 약 1.2배 향상됐다. 또 8세대 V낸드는 PCIe 4.0 인터페이스를 지원하며, 향후 PCIe 5.0까지 지원할 계획이다.
허성회 삼성전자 메모리사업부 Flash개발실 부사장은 "시장의 고집적, 고용량에 대한 요구로 V낸드의 단수가 높아짐에 따라 3차원 스케일링(3D scaling) 기술로 셀의 평면적과 높이를 모두 감소시키고, 셀의 체적을 줄이면서 생기는 간섭 현상을 제어하는 기반 기술도 확보했다"며 "8세대 V낸드를 통해 시장의 수요를 만족시키고, 더욱 차별화된 제품과 솔루션을 제공해 나갈 것"이라고 말했다.
앞서 삼성전자는 지난 8월 '플래시 메모리 서밋'과 10월 '삼성 테크 데이'에서 세계 최고 용량의 8세대 V낸드 양산 계획과 다양한 차세대 메모리 솔루션을 발표한 바 있다.