(씨넷코리아=권봉석 기자) 인텔과 마이크론이 낸드 플래시 메모리보다 1천배 빠른 새로운 메모리인 3D 크로스포인트를 공개하고 올 연말부터 양산에 나선다. 미국시간으로 28일 인텔과 마이크론이 보도자료를 통해 이와 같이 밝혔다.
SSD의 여전한 한계 “속도와 수명”
지금까지 SSD나 SD카드 등 저장장치에 쓰였던 낸드 플래시 메모리는 전기가 나가도 기록한 내용을 저장한다는 장점이 있었지만 데이터를 읽고 쓰는 속도는 D램에 비해 느렸다. SSD는 칩을 여러 개 달아 동시에 읽고 쓰면서 속도를 높여 왔고 전송 속도가 한계에 다다른 SATA3 대신 PCI 익스프레스를 이용해 PC와 연결하는 방식으로 한계를 극복해 왔다.
최근에는 플래시 메모리를 여러 층 쌓아 올리는 방식으로 좁은 공간에 더 많은 용량을 담는데도 성공했다. 하지만 그럼에도 불구하고 수명 문제가 여전히 숙제로 남아 있었다. 새로운 내용을 기록하려면 기존에 저장한 내용을 모두 지워야 하는 플래시 메모리의 특성이 걸림돌이었다. 현재 널리 쓰이는 MLC 방식 플래시 메모리는 최대 1만번, TLC 방식 플래시 메모리는 최대 1천번 기록할 수 있다.
블록쌓기식 새로운 구조로 문제 해결
3D 크로스포인트는 인텔과 마이크론이 이런 플래시 메모리의 문제를 근본적으로 해결하기 위해 저장된 내용이 지워지지 않는 비휘발성, 고성능, 고내구성과 고용량을 목표로 개발한 새로운 반도체다. 저장된 내용을 읽어내기 위한 가느다란 선을 블럭 쌓듯이 촘촘히 깔았고 그 사이에 1비트씩 저장하는 작은 메모리 셀을 넣는 입체 구조로 만들어졌다. 플래시 메모리에 꼭 필요했던 트랜지스터도 아예 빼 버렸다.
트랜지스터가 들어가던 공간에 보다 많은 메모리 셀을 넣을 수 있기 때문에 같은 공간에 기존 메모리보다 10배 이상 기록이 가능하다. 속도도 플래시 메모리보다 수백배 이상 빠르다. 셀 안의 모든 데이터를 지우고 다시 쓸 필요 없이 필요한 부분만 지우고 쓸 수 있기 때문에 기록 횟수도 자연히 늘어난다. 3D 크로스포인트의 내구성은 현재 나온 플래시 메모리의 1천배 이상이라는 것이 인텔 설명이다.
올 연말부터 샘플 공급 나선다
더 중요한 것은 3D 크로스포인트가 이미 시제품 생산에 성공한 반도체라는 것이다. 현재 인텔과 마이크론이 공동투자한 IMFT(인텔 마이크론 플래시 테크놀로지)는 메모리 셀을 2층으로 쌓아 칩(다이) 하나당 128Gb(16GB)를 저장할 수 있는 3D 크로스포인트 시제품을 생산하는 데 성공했다. 인텔과 마이크론은 올 연말부터 3D 크로스포인트 샘플을 공급할 예정이며 이를 활용한 제품도 개발중이다.
인텔은 보도자료를 통해 “3D 크로스포인트가 가진 성능상의 강점이 PC 환경도 개선할 것이다. 소비자들이 보다 빠르게 소셜 미디어와 협업을 활용하고 실감나는 게임을 즐기는 데 도움을 줄 것이다”라고 밝혔다.
인텔코리아도 오늘(29일) 11시부터 서울 코엑스 인터컨티넨탈호텔에서 국내 기자들을 대상으로 브리핑에 나선다. 이 자리에는 인텔 메모리 솔루션 그룹 척 브라운 박사가 참석해 3D 크로스포인트를 비롯한 인텔 최신 메모리 기술을 소개한다.
